Модулното заземяване е проект, създаден специално за монтиране на заземяващи проводници в жилищни съоръжения, например в крайградски частни къщи, селски къщи, както и за промишлени и административни съоръжения.

Модулният заземяващ превключвател е сглобяема конструкция, състояща се от стоманени щифтове, специално обработени с мед, всяка с дължина 1,5 метра. Тези щифтове се комбинират в един заземителен заземен контур на обекта.

Дължината на сглобяемия щифт за заземяване може да достигне дълбочина около 30 - 40 метра. Заземяващите 1,5 метра щифтове имат нишки в краищата, чрез които съединителите между тях, става възможно, тъй като сглобяемият заземителен щифт се движи в дълбочина - да го увеличите със следващия щифт и т.н. Монтажът на вертикалния заземяващ щифт в дълбочина се извършва по следния начин ...

Рискът от нараняване на хора от токови удари, както в производството, така и в ежедневието, е много висок. Това е пряк резултат от неспазване на мерките за безопасност, както и повреда или неизправност на електрическото оборудване и домакинските уреди. Следователно използването на безопасно напрежение за нашите битови нужди е трудно да се надценява. В днешната статия ще разгледаме практиката и основните възможности за използване на напрежението, безопасно за хората в нашата къща, вила или апартамент.

Какво е електрическото напрежение безопасно за хората? Сега се смята за безопасно за хората да има напрежение 42 волта (доскоро беше 36 V), използвано за преносимо осветление и домакински уреди във въздуха и в къщата и 12 волта, подлежат на използването на преносими осветителни тела и уреди вътре в котлите ...

За да опростите историята, можете да си представите транзистор под формата на променлив резистор. Заключението на основата е само самата дръжка, която можете да изкривите. В този случай съпротивлението на секцията колектор - емитер се променя. Разбира се, не е нужно да усуквате основата, може да излезе. Но да се приложи малко напрежение към него спрямо излъчвателя, разбира се, е възможно.

Ако напрежението изобщо не е приложено, а просто вземете и затворете изводите на основата и излъчвателя, дори и да не са къси, но през резистор от няколко KOhms. Оказва се, че напрежението на базовия емитер (Ube) е нула. Следователно, няма базов ток. Транзисторът е затворен, токът на колектора е незначителен, точно същия начален ток. Приблизително същото като диод в обратна посока! В този случай те казват, че транзисторът е в положение OFF, което на обикновен език означава, че е затворен или заключен. Обратното състояние се нарича насищане ...

В самия край на предишната част на статията е направено „откритие“. Значението му е, че малък базов ток контролира голям колекторен ток. Точно това е основното свойство на транзистора, неговата способност да усилва електрически сигнали. За да се продължи по-нататъшното разказване, е необходимо да се разбере колко голяма е разликата на тези течения и как се осъществява това управление.

За да си спомняме по-добре за какво става въпрос, фигурата показва n-p-n транзистор с захранвания за свързаните към него основни и колекторни вериги. Всичко, което се разказва за транзистора на n-p-n структурата, е напълно вярно за транзистора p-n-p. Само в този случай трябва да се обърне полярността на източниците на енергия. И в самото описание „електроните“ трябва да бъдат заменени с „дупки“, където и да се появят. Но в момента транзисторите от структурата n-p-n са по-модерни, по-търсени ...

Транзисторът е активно полупроводниково устройство, с помощта на което се извършва усилване, преобразуване и генериране на електрически трептения. Такова приложение на транзистора може да се наблюдава в аналогова технология. Освен това транзисторите се използват и в цифровата технология, където се използват в режим на клавиши. Но в дигиталното оборудване почти всички транзистори са „скрити“ вътре в интегралните схеми и в огромни количества и в микроскопични размери.

Тук няма да се спираме твърде много на електроните, дупките и атомите, които вече бяха описани в предишните части на статията, но част от това, ако е необходимо, все пак ще трябва да се помни. Транзисторът се състои от два прехода, така че диодът може да се счита за предшественик на транзистора, или неговата половина. Ако кръстовището p-n е в покой ...

В предишна статия започнахме да въвеждаме полупроводников диод. В тази статия ще разгледаме свойствата на диодите, техните предимства и недостатъци, различни дизайни и характеристики на приложение в електронни схеми.

Характеристиката на токовото напрежение (CVC) на полупроводников диод е показана на фигурата. Тук на една фигура са показани I - V характеристики на германиеви (сини) и силициеви (черни) диоди. Лесно е да забележите, че характеристиките са много сходни. На координатните оси няма числа, тъй като за различните видове диоди те могат да варират значително: мощен диод може да предава постоянен ток от няколко десетки ампера, докато нискомощният може да предава само няколко десетки или стотици милиампери. Има голямо количество диоди от различни модели и всички те могат да имат различни цели, въпреки че тяхната основна задача, основната собственост е ...

Dйод - най-простото устройство в славното семейство на полупроводникови устройства. Ако вземем плоча на полупроводник, например Германия, и въведем акцепторен примес в лявата му половина, а в дясното на донора, тогава от една страна получаваме полупроводник тип P, съответно, от другата тип N. В средата на кристала получаваме така нареченото P-N кръстовище.

Фигурата по-долу показва конвенционалното графично обозначение на диода на диаграмите: катодният изход (отрицателен електрод) е много подобен на знака "-". По-лесно е да запомните Общо в такъв кристал има две зони с различна проводимост, от които излизат две проводници, поради което полученото устройство се нарича диод, тъй като префиксът "di" означава две. В този случай диодът се оказа полупроводник, но подобни устройства бяха известни и преди: например в ерата на електронните тръби имаше тръбен диод, наречен кенотрон ...

Чистите полупроводници имат същото количество свободни електрони и дупки. Такива полупроводници не се използват за производството на полупроводникови устройства, както беше споменато в предишната част на статията.

За производството на транзистори (в случая те също означават диоди, микросхеми и всъщност всички полупроводникови устройства) се използват n и p видове полупроводници: с електронна и дупкова проводимост. В полупроводниците от тип n основните носители на заряд са електрони, а в полупроводниците от тип p - дупки.

Полупроводниците с необходимия тип проводимост се получават чрез допинг (добавяне на примеси) към чисти полупроводници. Количеството на тези примеси е малко, но свойствата на полупроводника се променят до неузнаваемост. Транзисторите не биха били транзистори, ако не бяха използвани в производството им ...